SiTime MEMS 32 kHz解决方案是在空间和功率至关重要的可穿戴和移动应用中替代传统石英晶体谐振器的理想选择。
·芯片级封装(CSP)中1.2 mm2(1.5 x 0.8 mm)的小占地面积
·超低功率,低至<1μA
·纳米驱动器™ 与LVCMOS输出相比,可编程输出摆动使功率最小化
·1.2 V操作优化,适用于稳压电源应用,如纽扣电池或超级电容备用电池
·全方位频率稳定性,温度低至±50 ppm
系列 | 频率 | 稳定度 (PPM) | 输出 | 电压 (V) | 工作温度(°C) | 尺寸 (mm2) |
32.768 kHz | ±75±100±250 | LVCMOSNanoDrive™ | 1.2to3.63 | -10to+70 -40 to+85 | 1.5x0.8 | |
32.768 kHz | ±75±100±250 | LVCMOSNanoDrive™ | 1.2 to 3.63 | -10to+70 -40 to+85 | 2.0x1.2 | |
32.768 kHz | ±50 | LVCMOS | 1.62 to 3.63 | -40 to+85 | 1.5x0.8 | |
32.768 kHz | ±100 | LVCMOS | 1.62 to 3.63 | -40 to+85 | 1.5x0.8 | |
32.768, 16.384 kHz | ±75±100±150 | LVCMOS | 1.5 to 3.63 | -10 to +70-40 to+85-40 to +105 | 2.0x1.2 SOT23-5 |
SiTime 32 kHz TCXO系列是第一款在1.2 mm2芯片级封装中提供±3 ppm稳定性的产品。典型的核心电源电流低至1μA。这些32 kHz TCXO在多个温度点上进行工厂校准,以确保极其紧密、包罗万象的频率稳定性。
·SiT1552 TCXO提供低至0.99μA的电源电流,外加NanoDrive™ 可编程输出,进一步降低功耗
·SiT1566、SiT1567和SiT1580 TCXO分别在2.5ns、2.0ns和1.8ns下提供低集成RMS相位抖动
·SiT1580采用最新一代EpiSeal®技术,该技术密封谐振器,使其不受所有小分子气体的影响,不受外部大气元素的影响
系列 | 频率 | 稳定度 (PPM) | 输出 | 电压 (V) | 工作温度 (°C) | 尺寸 (mm2) |
32.768 kHz | ±5±10±20 | LVCMOSNanoDrive™ | 1.5 to 3.63 | -0to+70 -40 to +85 | 1.5x0.8 | |
32.768 kHz | ±3±5 | LVCMOS | 1.62 to 3.63 | -20 to +70-40 to +85 | 1.5x0.8 | |
SiT1568 | 32.768 kHz | ±5 | LVCMOS | 1.8 | -20 to +70-40 to +85 | 1.5x0.8 |
32.768 kHz | ±5 | LVCMOS | 1.62 to 3.63 | -20 to +70-40 to +85 | 1.5x0.8 |