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Q1
晶体的频率驱动能力不够或频率变化不对称
<A1
11-1.如下图所示，VCXO电路的电容与驱动能力呈负相关，即电容越小，频率牵引范围（FL-Fr）越大，反之亦然。/由于VCXO电路的电容是由压敏电阻控制的，所以我们可以使用电容值较小的压敏电阻或调节范围较宽的压敏电阻来扩大频率驱动范围。
11-2.除了外部电路调整外，晶体参数的特性也会影响频率驱动范围。其参考参数有Trim Sensitivity（TS）、C0/C1（r）、C1、C0等。各参数与频率驱动力的关系如下：C0↑，C1↑，C0/C1（r）↓，TS↑，驱动力↑
11-3.如果频率驱动范围不够，我们还可以调整晶体的规格以满足目标范围。
11-4.当由于驱动范围不对称而导致一侧驱动力不够而另一侧驱动力太大时，我们可以调整晶振的负载电容（CL），使其达到对称且两侧驱动力足够。
Q2
晶振安装在PCB上时
<A2
12-1.根据图11-1所示的晶振驱动力曲线可知，电容值越小，对频率变化的影响越大。如果频率分布过宽，请依下列方法处理：增大电容Cd和Cg的值，并采用负载电容（CL）更大的晶体。Cd和Cg使用更复杂的电容（电容变化很小）。使用更精密的晶体（频率变化不大）。
12-2.此外，如果由于PCB的杂散电容较大而无法改善频率分布以满足规格，则可能需要根据杂散电容的来源进行新的布局。
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